Ottimizzazione delle interfacce in una cella solare a perovskite a base di FAPbI3 per dispositivi ad alta efficienza

The charges recombination at the interface of the various components of a solar cell leads to a loss of performance by limiting the open circuit voltage (Voc) of a photovoltaic device. Therefore, in this thesis, an efficient and simple method for the passivation of interfaces between perovskite and CTL (charge transport layers) was provided, resulting in a reduction of trap-mediated recombination. As a result, an efficiency of 23.33% was achieved adopting a planar (nip) structure processed by solution at low temperature.

La ricombinazione delle cariche all'interfaccia dei vari componenti di una cella solare porta ad una perdita di prestazioni limitando la tensione del circuito aperto (Voc) di un dispositivo fotovoltaico. Pertanto, in questa tesi, è stato fornito un metodo efficiente e semplice per la passivazione delle interfacce tra perovskite e CTL (strati di trasporto della carica), con conseguente riduzione della ricombinazione mediata da trappole. Come risultato, è stata raggiunta un'efficienza del 23,33% adottando una struttura planare (nip) depositata da soluzione a bassa temperatura.