Design of a highly linear and low power integrated temperature sensor in CMOS technology

This thesis work regards the design of an integrated temperature sensor carried out in a 130 nm CMOS technology. The design of the proposed temperature sensor, whose purpose is not to provide the user with a temperature measurement result but instead to compensate for the temperature-dependent non-idealities of parameters of interest of other devices, is focused on an INL (integral non linearity) level below ± 0.2 °C, on a lower than 18 µW power consumption and on an output noise level lower than 140 m°C RMS.

Progettazione di un sensore di temperatura integrato ad alta linearità e a basso consumo di potenza in tecnologia CMOS. Questo lavoro di tesi riguarda la progettazione di un sensore di temperatura integrato svolta in tecnologia CMOS a 130 nm. Il design del sensore proposto, il cui scopo non è quello di fornire all'utente il risultato di una misura di temperatura ma piuttosto di effettuare correzioni di non-idealità (dipendenti dalla temperatura) di parametri d'interesse di altri dispositivi, è focalizzato su un livello di INL (non linearità integrale) inferiore a ± 0.2 °C, su un consumo di potenza inferiore a 18 µW e su un rumore del segnale di uscita inferiore a 140 m°C RMS.